竞速赛 ——

第一名：eaF1BEAM  |  1’58’’78    免费获得华硕EN8800GT一片

第二名：Peter0813  |  1’58’’85      1399特价购买华硕 EN8800GT一片

第三名：haifeiz  |  1’59’’56     1599特价购买华硕EN8800GT 一片

幸运奖 ——

幸运一等奖：tony1226     免费获得华硕EN8500GT TOP一片

幸运二等奖：hale86           1799特价购买华硕EN8800GT一片

                         aihanloveu   1799特价购买华硕EN8800GT一片

所有正常提交成绩单参赛选手，均可获得华硕提供的游戏手柄一个。

请所有参赛选手与本周五（12月14日）之前，通过站内短信向本ID提交：个人姓名、联系方式（手机）、详细地址、邮编、电子邮件，以便发放礼品。逾期将不予受理，敬请谅解。

感谢大家对华硕POP极品飞车大赛的支持！谢谢。

eaF1BEAM  |  1’58’’78

Peter0813  |  1’58’’85

zz1893  |  1’59’’28     

超过规定提交时间，取消排位赛资格，保留幸运奖资格。

WDdeil  |  1’59’’51

借用国外比赛录像，取消排位赛和幸运奖资格。

haifeiz  |  1’59’’56

hale86  |  2’04’’77   成绩更新为：1’59’’96

gxjyxy  |  2’00’’97

有人质疑成绩，如果周一之前，没有提出进一步证据表明作弊，成绩保留。

player52  |  2’01’’82

Songyujie  |  2’07’’

晨光08  |  2’08’’82

斌斌  |  2’09’’97

deity0070  |  2’10’’62

neeyuese  |  2’10’’78

254327902  |  2’11’’25

tony1226  |  2’11’’66

gtspeed  |  2’17’’15

Digidea  |  2’19’’22

xuli666  |  2’19"85

aihanloveu  |  2’28’’

SHOW一下，SHOW一下～～～无敌板皇华硕玩家国度～！

哈哈哈哈。发现自己昨天发的帖子被论坛放到论坛首页，很是开心。

SHOW一下搜集到的电脑桌布吧。只有两种规格的2048×1536和1024×768，估计制作者脑袋进水了，没有做宽屏的！大家喜欢就自己改改吧……

第一楼是蓝色的～这个东西长得是不是很想一个蘑菇呀？？

笔记本声卡基本上都是集成的，无论听歌、看电影，还是打游戏，干扁的声音总是让人失望！现在好了。哈哈，今天爽了一把华硕最新的USB外置声卡——Xonar U1 Audio Station！实在是太爽了～

名称：Xonar U1 Audio Station
类别：外接式音效卡与耳机装置（USB接口）
基本技术规格：
--SNR：100dB
(它是判断声卡噪声能力的一个重要指标。用信号和噪声信号的功率的比值即SNR，单位分贝。SNR值越大声卡的滤波效果越好，一般是大于80分贝。)
--完整杜比功能组合
--支援EAX与DirectSound硬件加速功能
--内含先进阵列式麦克风，提供清晰VoIP对话品质

其实音频的东西，我真的一点不懂。

我这么说吧，就我笔记本那个破喇叭，已经让我失去了听音乐的热情。那天狠下心买了个Philips的耳机（不是太好的，200米。同事败了个900米的森海塞尔+耳放 >_<），回来之后热情大增。

今天刚好拿到一批华硕U1声卡，就带了一个回家试试。结果……兴奋了！哈哈。明显的感觉声音又上了一个层次。用U1附赠的杜比试音碟体验一下，Perfect！

我想试试到底有多少差距，把U1卸下，再去听同一段电影视频，明显感觉声音含糊不清，我这才真正相信独立声卡的伟大！

不过我也在想这个问题，到底是同事900块的耳机好，还是我这200块的耳机+华硕Xonar U1更好？

还有，Xonar U1市场定价到底是多少呢？

比我手上的8800GTX分数要高……

我查了一下intozgc的测试配置跟我差不多，ASUS 顶级X38主板Maximus Formula；E6300 oc 3.3G  DDRII 1066内存，用的通路的8800GT。他们得分是11338。

我是华硕平民X38主板 P5K SE，E6320 oc 3.5G，金邦DDRII 1066内存，华硕EN8800GT 显卡。得分 12038。哈哈哈哈。很开心！

【作者】CDKEY    【出自】华硕玩家国度论坛 http://bbs.asusfans.com

这篇文章是给新手的朋友！很多人也许会问，为什么明明配置都一样，为什么他就比我超得高？为什么跑分比我跑得快？然而超频成功关键的重点部份，也包括了BIOS选项的设定。当然为了拿到更高的测试得分，内存参数的优化也是必不可少的。

下图以 华硕 ASUS P5K Deluxe的BIOS设置 为例

超频还是先从主板BIOS设置下手，我们在这里就介绍下超频过程中几个重要的BIOS设置选项。第一步，开机自检完成后按Del键进入BIOS设置界面。在这里你能看到有关系统基本设置的相关信息，如：系统基本信息、系统时间、日期、软驱、BIOS设置界面语言种类、IDE相关设备信息以及磁盘存储系统的配置信息。

需要设置的选项：
Legacy Diskette A     Disabled  (禁用软驱)

第二步 使用键盘的左右方向键将光标移动至Advanced菜单。打开手动超频选项！
Ai Overclocking   Manual    (开启动手动超频模式)

如图 1-2 ： 在这一页的选项中，具体设置如下：

CPU Ratio Control  (CPU倍频设定)  

FSB Frequency     (CPU 外频设定)
注：intel conroe e6320 外频为266 ，倍频为7 ，主频则为 1862MHZ ，而我们将外频提高，倍频不变，当然主频也就变了。这也就是所谓的超频。

PCIE Frequency  为了保证超频后显卡的正常工作，我们必须要对显卡的工作状态进行相关的设置， PCIE Frequency  设置一般为100MHZ

DRAM Frequency  （内存频率设定） 根据自己内存的体质进行设定

DRAM Command Rate (内存首命令延迟设定) 通常情况下 Auto 就好了，如果你的条子体质超强，那么开1T吧 ，这个选项如果设置成1T的话，跑测试软件出来的得分会比2T也高。

DRAM Timing Conterol （内存参数选项设定）注：平时就是Auto , 如果你要手动设置的话请选择Manual  如图： 1-3

注：新手建议就用AUTO吧，等以后水平提高了，再来学习内存小参吧，这些先项通常是越低越好，越低的话你跑测试软件的得分会更高。如SUPER-PI 之类的软件

CAS# Latency: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第1个参数, 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为3或4的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

RAS# TO CAS$ Delay: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第2个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD、tRTC)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。

RAS# Precharge
该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第3个4。DRAM RAS# Precharge (也被描述为：tRP、Row Precharge Timing、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

RAS# Activate to precharge
该值就是该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数。 (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time) 这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（ tRAS ），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS 过长，会严重影响性能。减少 tRAS 可以使得被激活的行地址更快的复位，然而， tRAS 太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。简单来说，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高内存的稳定性。在调整tRAS值的时候，需要顾及tCL值和tRCD值这个参数，这里有个公式可以供给大家参考。tRAS = tCL + tRCD  + 2（举例，当tCL值设置为5、tRCD为5的时候，那么这时tRAS的最佳设定值为12）由于部分主板厂商并没有提供tras值全部数值，所以大家要尽量调低tras值的时候。不过一般只要是10以下的tRAS不论如何设置其性能和稳定性都不会有太大的变化，事实上从DDR起它早已经变得越来越不重要。



DRAM Write Recovery Time (tWR)
DRAM Write Recovery Time是“写恢复时间”， 该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。它对内
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